Отправлено Bludger 28 января 2002 г. 12:08 В ответ на: Не понял вопроса - объяснитесь отправлено Shura 28 января 2002 г. 11:51

B - магнитная индукция - равна U*t/(S*W), и, как видно, не зависит ни от индуктивности, ни от тока. Но для обеспечения дисконтинуса Вы должны иметь некую минимальную индуктивность на максимальной мощности. Поэтому в данном случае гораздо выгоднее иметь побольше витков (уменьшается B, и, соответственно, потери), но поменьше проницаемость (индуктивность то должна быть той же). Так что оптимумом в данном случае будет такой зазор, при котором оммические потери в обмотках будут равны потерям в серечнике (как и в любом другом трансе). Правда, здесь есть еще одна пакость, связанная с концентрацией поля в зазоре - силовые линии начинают выползать из довольно большого зазора и стягивать заряды в проводе, расположенные рядом с ним. Поэтому парни из юнитрода на последнем семинаре предложилии вообще полный изврат - они предлагают делать центральный керн или с несколькими зазорами, или вообще из пермаллоя :)

• Ну и? — Shura   (28.01.2002 12:13, 27 байт)
  • Ответ: < Уменьшение индуктивности - далеко не цель, наоборот - нежелательное следствие! > :) — Bludger   (28.01.2002 12:16, пустое)
    • Что улучшает и что ухудшает зазор — Aleksei Pogorily   (28.01.2002 16:30, 1053 байт)
    • Значит, в формуле W=LI^2/2 прямой зависимостью от L пренебрегаем? — Shura   (28.01.2002 12:34, пустое)
      • Ответ: Ага... К сожалению... Кому ж охота почем зря ток растить? :) — Bludger   (28.01.2002 12:39, пустое)
        • Увеличение тока.. — Shura   (28.01.2002 12:57, 133 байт)
          • Ответ: — Bludger   (28.01.2002 13:07, 157 байт)
            • Ответ: Континус моде - не столь уж приятная вещь. Габариты индуктивности при этом растут (габаритный параметр L*I^2), ток тот же, индуктивность больше. Но облегчается режим в открытом состоянии. Но ухудшаются условия переключения и динамические свойства преобразователя. — Aleksei Pogorily   (28.01.2002 16:33, пустое)
            • Поясните, пожалуйста такую штуку.. — Shura   (28.01.2002 13:25, 136 байт)
              • Ответ: — Bludger   (28.01.2002 13:54, 841 байт)
                • И ещё вопросик — Shura   (28.01.2002 14:00, 311 байт)
                  • Ответ: — Bludger   (28.01.2002 14:40, 1271 байт)
                    • Минуточку! — Shura   (28.01.2002 15:20, 281 байт)
                      • Ответ: — Bludger   (28.01.2002 16:28, 1221 байт)
                        • Не все однозначно при прочих равных. Зависит от того, какие это прочие. Габаритный параметр индуктивности растет (то есть при равных хабаритах растут в ней потери или надо наращивать индуктивность). Единственное, что бесспорно улучшается - падают амплитуды токов в полупроводниковых элементах. — Aleksei Pogorily   (28.01.2002 16:49, пустое)
                        • Ответ: — Aleksei Pogorily   (28.01.2002 16:41, пустое)