Отправлено Неизвестный 28 февраля 2005 г. 10:34 В ответ на: Чем можно объяснить, что LDO IRU1010 имеет более высокое термосопротиление ( 70 C/W ) в корпусе TO-252 ( D-Pak ), чем в корпусе SOIC8 ( 55 C/W )? отправлено Survivor 27 февраля 2005 г. 16:29

• Указанные площади - это для внешних или внутренних слоев металлизации? — Survivor   (28.02.2005 10:47, 531 байт)
  • А там не сказано :) Полагаю, имелась в виду площадь на стороне пайки микросхемы. Если есть желание, можно использовать вторую внешнюю метализацию, с достаточным числом больших переходных отвестий. Использование внутренних слоёв менее эффективно, имхо — Неизвестный   (28.02.2005 12:24, пустое)
    • Или внутренние слои металлизации 4-х слойной платы в качестве теплоотвода не используются , чтобы плата не расслоилась? — Survivor   (28.02.2005 12:51, пустое)