Отправлено Survivor 28 февраля 2005 г. 10:47 В ответ на: Тем, что для SOIC8 термосопротивление указано для площади металлизации под выводы в 1кв. инч, против 0.5кв. инча для D-Pak отправлено Неизвестный 28 февраля 2005 г. 10:34

То есть можно сэкономить на габаритах корпуса LDO ( поставив более компактный SOIC8 ) за счет увеличения площади металлизации?
Указанные площади - это для внешних или внутренних слоев металлизации?

А если использовать в качестве теплоотвода внутренние слои металлизации 4-х слойной платы? Насколько больше потребуется площадь металлизации, чтобы было такое же термосопротивление, как и для внешних слоев?

Или внутренние слои металлизации 4-х слойной платы в качестве теплоотвода не используются , чтобы плата не расслоилась?

• А там не сказано :) Полагаю, имелась в виду площадь на стороне пайки микросхемы. Если есть желание, можно использовать вторую внешнюю метализацию, с достаточным числом больших переходных отвестий. Использование внутренних слоёв менее эффективно, имхо — Неизвестный   (28.02.2005 12:24, пустое)
  • Или внутренние слои металлизации 4-х слойной платы в качестве теплоотвода не используются , чтобы плата не расслоилась? — Survivor   (28.02.2005 12:51, пустое)