[an error occurred while processing this directive]
В некорых схемах полумостов IRF MOS FETы шунтируются обратным диодом, хотя в них имеются встроенные. Зачем так делают?
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
Вопрос
18 ноября 2002 г. 13:25
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Встроенный диод имеет безобразно высокое прямое падение.
—
-=Shura=-
(18.11.2002 15:36,
пустое
)
Ну зачем же так. Сравним упомянутый IRFP460 и аналогичный диод 20ETF60S от того же IR
—
SVI
(18.11.2002 16:08, 193 байт)
Увы - не придумали ещё высоковольтных Шоттки. А в низковольтных FETах IR уже лепит встроенный ДШ параллельно паразитному тельнику именно с целью уменьшить падение.
—
-=Shura=-
(18.11.2002 18:41,
пустое
)
KD636D - Шотки на 600 Вольт:
—
Vallav
(18.11.2002 21:20, 145 байт)
Загадочная вещь. Неужели Брянск впереди планеты всей?
—
-=Shura=-
(19.11.2002 11:20, 289 байт)
Ответ:
—
Vallav
(19.11.2002 14:45, 304 байт)
Ответ: это не шоттки однозначно!
—
UDAV
(20.11.2002 10:05, 258 байт)
Ответ:
—
Vallav
(20.11.2002 15:50, 339 байт)
Ответ:
—
UDAV
(20.11.2002 18:03, 154 байт)
Большое время тоже факт, но включением параллельного диода не лечится.
—
-=Shura=-
(18.11.2002 21:25,
пустое
)
Лечится:
—
Vallav
(19.11.2002 09:42, 27 байт)
Точнее говоря, опять к падению возвратимся.
—
-=Shura=-
(19.11.2002 10:24,
пустое
)
Ответ: Лечится. только нужно 2 диода.
—
bam
(19.11.2002 08:02,
пустое
)
Я как-то читал в C-news о шоттки 400В - может, наврали?
—
SVI
(18.11.2002 19:17,
пустое
)
Встроенный диод технологический. То есть не рассчитан на большие токи(-)
—
misyachniy
(18.11.2002 14:33,
пустое
)
Ответ: Хмм, большинство производителей в даташитах оговаривают его параметры, и рабочий ток всегда равен току транзистора, а Trr обычно около 200 нс
—
Технологический диод
(18.11.2002 15:10,
пустое
)
Неправда. Все диоды в MOSFETах от IR расчитаны на такие - же токи, что и канал
—
SVI
(18.11.2002 15:07,
пустое
)
Ответ: реально все сложнее. у диода большее тепловое R чем у канала. и низковольтные мопы используются при Uвкл <<1В. разница рассеиваемых мощьностей может быть очень большой.(все от схемы зависит)
—
bam
(18.11.2002 15:17,
пустое
)
Возьмем для примера IRFP460, которыми усыпана эта конфа
—
SVI
(18.11.2002 15:28, 100 байт)
Ответ: а возьмем IRF7331 Id=7,5A Is=2,0A (continius 25С)
—
bam
(18.11.2002 16:11, 120 байт)
Ответ:
—
Vallav
(18.11.2002 21:37, 467 байт)
Ого! Возможность вторичного пробоя наконец-то признана!
—
-=Shura=-
(18.11.2002 21:41,
пустое
)
Ответ:
—
Vallav
(19.11.2002 09:49, 189 байт)
Бывает, Vallav, бывает. Тоже от условий зависит.
—
-=Shura=-
(19.11.2002 10:21,
пустое
)
Ответ: Парадоксальный вывод.
—
bam
(19.11.2002 08:06,
пустое
)
Кто мешает выбрать полевик с одинаковыми допустимыми токами? Таких большинство.
—
SVI
(18.11.2002 16:16,
пустое
)
в корпусе SO8 низковольтовых с одинаковыми постоянными токами не всречал.
—
bam
(18.11.2002 16:24,
пустое
)
Это понятно - низковольтный должен иметь малое сопротивление
—
SVI
(18.11.2002 16:41, 157 байт)
P.S. Неудачный пример, полевик в мелком корпусе. Здесь действительно нужно считать по теплу.
—
SVI
(18.11.2002 16:22, 85 байт)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
|||
Без кадра
E-mail:
info@telesys.ru