Отправлено Dimitris 19 апреля 2006 г. 16:40 В ответ на: Ответ: Скажи марку аппарата, может у меня схема есть. отправлено <font color=gray>Yurasvs</font> 19 апреля 2006 г. 16:34

• Ответ: Есть такая, чуть попозже гляну, сечас немного занят. — Yurasvs   (19.04.2006 17:41 213.179.230.249, пустое)
  • Ответ: Точно эту схему не нашел, но обычно так включают не диод, а высковольный стабилитрон для гашения выбросов от Ls на безопасном для мосфетов уровне. Когда приходит мощный импульс, стабилитрон открывается и приоткрывает мосфет(линейный режим) ,энергия импульса рассеивается в мосфете, Uси не превышает Uст стабилитрона, а ток может быть значительным(определяется мосфетом). — Yurasvs   (19.04.2006 18:41 213.179.230.249, пустое)
    • очень редко, но встречается подобное и в пушпулах караудио усилов, но зачем это нужно, если брейкдаун вольтаж мосфета и есть напряжение открывания канала, независимо от напряжения на гэйте, я не понимаю. — IVX   (20.04.2006 11:45 62.181.47.194, пустое)
      • А сей прибамбас к тому же стопудово асимметричный :-/ — Dimitris   (20.04.2006 11:58 194.44.62.151, пустое)
        • всмысле? — IVX   (20.04.2006 12:02 62.181.47.194, пустое)
          • Напряжение на затворах "ограничивается" только один полупериод. Причем сигнал идет не в затворы, а ... из них. Абракадабра, блин. Помогите !!!! — Dimitris   (20.04.2006 14:44 194.44.62.151, пустое)
            • вероятно я себе неправильно схему вашу представляю :( — IVX   (20.04.2006 21:14 62.181.47.194, пустое)
              • Шут с ней. Срисовываю и волосы дыбом встают. Правильно ли я понимаю:" брейкдаун вольтаж мосфета и есть напряжение открывания канала, независимо от напряжения на гэйте" (+) — Dimitris   (21.04.2006 12:09 194.44.62.151, 115 байт)
                • ну не динисторное, а скорее уж зенерное клэмпирование с чисто тепловым ограничением по мощности рассеивания. — IVX   (21.04.2006 12:49 62.181.47.194, пустое)
                  • Спасибо, т. е. по аналогии с биполярными транзисторами - это граничное напряжение, только по критерию "температура кристалла" ? А там действительно начинается область лавинного пробоя ? — Dimitris   (21.04.2006 13:23 194.44.62.151, пустое)
                  • The device is rated to the value(s) of energy, EAS, that causes an increase in junction temperature up to TJMAX. International Rectifier EAS avalanche rated MOSFETs are rated in this manner. — IVX   (21.04.2006 12:57 62.181.47.194, пустое)
  • Буду весьма признателен, нет - безмерно благодарен. Мыло под ником. — Dimitris   (19.04.2006 18:32 194.44.62.151, пустое)

E-mail: info@telesys.ru