Шут с ней. Срисовываю и волосы дыбом встают. Правильно ли я понимаю:" брейкдаун вольтаж мосфета и есть напряжение открывания канала, независимо от напряжения на гэйте" (+) («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

[an error occurred while processing this directive] Шут с ней. Срисовываю и волосы дыбом встают. Правильно ли я понимаю:" брейкдаун вольтаж мосфета и есть напряжение открывания канала, независимо от напряжения на гэйте" (+)

(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

Отправлено Dimitris 21 апреля 2006 г. 12:09
В ответ на: вероятно я себе неправильно схему вашу представляю :( отправлено <font color=gray>IVX</font> 20 апреля 2006 г. 21:14

динисторное самооткрывание мосфета по нарастанию напряжения стока обеспечивает клэмпирование обмотки само по себе ?

Составить ответ ||| Конференция ||| Архив

Ответы

ну не динисторное, а скорее уж зенерное клэмпирование с чисто тепловым ограничением по мощности рассеивания. — IVX (21.04.2006 12:49 62.181.47.194, пустое)
- Спасибо, т. е. по аналогии с биполярными транзисторами - это граничное напряжение, только по критерию "температура кристалла" ? А там действительно начинается область лавинного пробоя ? — Dimitris (21.04.2006 13:23 194.44.62.151, пустое)
- The device is rated to the value(s) of energy, EAS, that causes an increase in junction temperature up to TJMAX. International Rectifier EAS avalanche rated MOSFETs are rated in this manner. — IVX (21.04.2006 12:57 62.181.47.194, пустое)

Перейти к списку ответов ||| Конференция ||| Архив ||| Главная страница ||| Содержание

E-mail: info@telesys.ru

Ответы

Отправка ответа