[an error occurred while processing this directive]
вероятно я себе неправильно схему вашу представляю :(
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
IVX
20 апреля 2006 г. 21:14
В ответ на:
Напряжение на затворах "ограничивается" только один полупериод. Причем сигнал идет не в затворы, а ... из них. Абракадабра, блин. Помогите !!!!
отправлено Dimitris 20 апреля 2006 г. 14:44
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Шут с ней. Срисовываю и волосы дыбом встают. Правильно ли я понимаю:" брейкдаун вольтаж мосфета и есть напряжение открывания канала, независимо от напряжения на гэйте" (+)
—
Dimitris
(21.04.2006 12:09
194.44.62.151
, 115 байт)
ну не динисторное, а скорее уж зенерное клэмпирование с чисто тепловым ограничением по мощности рассеивания.
—
IVX
(21.04.2006 12:49
62.181.47.194
,
пустое
)
Спасибо, т. е. по аналогии с биполярными транзисторами - это граничное напряжение, только по критерию "температура кристалла" ? А там действительно начинается область лавинного пробоя ?
—
Dimitris
(21.04.2006 13:23
194.44.62.151
,
пустое
)
The device is rated to the value(s) of energy, EAS, that causes an increase in junction temperature up to TJMAX. International Rectifier EAS avalanche rated MOSFETs are rated in this manner.
—
IVX
(21.04.2006 12:57
62.181.47.194
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru