Отправлено misyachniy 25 октября 2005 г. 12:12 В ответ на: Ответ: отправлено Elektronik 25 октября 2005 г. 11:31

В NOR памяти большую часть кристалла занимают проводники.
Так как к каждой ячейке нужно подвести по три провода затвор/сток/исток . Соответственно и много площади расходуется в пустую.
В NAND к каждой ячейке подводят только затвор. А сток-исток соединяют от разных ячеек то есть цепочками.
При этом длину цепочки стараются сделать побольше, для экономии площади кристалла.
При этом с точки зрения схемотехники - для того чтобы на выходе группы тразисторов появился 0 в NOR достаточно чтобы открылся хотя-бы один транзистор(первый ИЛИ второй ИЛИ ..).

А для NAND нужно чтобы открылись все тразисторы в цепочек первый И второй И т.д.

В NOR закладываются дополнительные ячейки на группу и спомощью лазера можно заменить не работающие ячейки пережигая проводники.
В NAND транзистор из цепочки нельзя вычленить, так как нету проводников. Сток одного трпзистора является имтоком другого.
Вот и дырки от бублика получаются :-)

• Про трассировку, а также flash vs eeprom все не совсем так (+) — SM   (25.10.2005 12:31 195.225.131.183, 1472 байт)
• Не увидел противоречий в ваших ответах :-) — -=Shura=-   (25.10.2005 12:15 217.21.50.43, пустое)
  • Автор утверждал что NOR это NAND c исправленными ошибками - это совсем не так(-) — misyachniy   (25.10.2005 12:26 213.186.204.170, пустое)
    • у вас богатая фантазия — Elektronik   (25.10.2005 12:28 194.85.99.225, пустое)
      • Попробуйте еще раз обьяснить мне подробнее, ваше сообщение.Чтобы я не фантазировал(-) — misyachniy   (25.10.2005 12:36 213.186.204.170, пустое, ссылка)