Отправлено SM 25 октября 2005 г. 12:31 В ответ на: Ответ не правильный (+) отправлено misyachniy 25 октября 2005 г. 12:12

1) различие в площади. Оно не из-за того, что большую часть занимают проводники (изначально неверно, так слоев металлизации дохрена, води-нехочу над полевиками), а из-за того, что в NAND соединение сток-исток как таковое отсутствует, а выполняется как бы один полевик с длииииной active area, и кучей поперечных ей поликремниевых затворов и тоже длинных. Итого получается такая сетка из AA и поликремния, причем затворы соседних NAND-ячеек (впрочем как и у NOR) соединяются в поликремнии. Отличие NOR в том, что "плотность" расположения затворов над AA в два раза меньше, из-за отсутствия соединения сток-исток (учитывая что сток от истока ничем не отличается, сток первого является одновременно истоком второго у NAND, когда в NOR надо изолировать стоки от истоков). То есть вся беда не в кол-ве проводов, а в необходимости дополнительной изоляции.

2) EEPROM vs FLASH. Принимаем, что EEPROM это такая память, где стирается минимум один блок в один байт, а флеш - где размер блока больше байта. То есть обе они флеш на самом деле :) Стирание блока производится (кроме всего) подачей в область n-кармана полевиков высокого напряжения, что активирует FNT, и стирает ячейку. Соответственно во "флеш" в одном n-кармане выполнен бооольшой блок, а в еепром - маленький. И не важно, NOR оно или NAND. Отсюда получаем, что в eeprom имеется больше промежутков между карманами, что и дает увеличение площади. Опять же с трассировкой металлизаций проблема не связана никаким боком.