Отправлено vitus_strom 05 ноября 2003 г. 10:02 В ответ на: Может глупая идея, но все же: можно ли делать рентген (на качество пайки BGA например) в обычном рентген-кабинете - не умрет ли FPGA от излучения? Какая доза применяется в таких случаях по правилам(ГОСТам)? отправлено _aquarius_ 04 ноября 2003 г. 18:10

Скажу вам как специалист когда то окончивший специализации микроэлектроники, а затем отработавший в АН Беларуси в лаборатории радиационных воздействий 2 года. Микросхема не умирает от облучения, но... В сформированной струтуре кремния (или чего то там еще), которая и отличает простой монокристаллический кремний от микросхемы, происходит деградация (возникновение дефектов), которая в конечном счёте, при многократном облучении, может привести к отказу.

• Рентгеновское излучение создает не "дефекты в структуре кремния" а заряд в окисле (если мы о КМОП говорим). — kolega   (06.11.2003 15:26, пустое)
  • Ответ: А насчёт заряда в окисле, так какой заряд может создать гамма излучение, или поток нейтронов? — vitus_strom   (06.11.2003 16:49, пустое)
    • могу книжки порекомендовать в порядке ликбеза — kolega   (12.11.2003 09:41, пустое)
  • Ответ: (+) — vitus_strom   (06.11.2003 16:47, 293 байт)
• Привет бывшим коллегам из АНБ! :-) — -=Shura=-   (05.11.2003 10:23, пустое)
  • Ответ: Ты где сейчас? Где работал? — vitus_strom   (05.11.2003 11:02, пустое)
    • ИПФ (1995-2000), сейчас на частной фирме — -=Shura=-   (05.11.2003 11:05, пустое)
      • Ответ: Что есть ИПФ? Фирма в Минске? Я ИФТТП 1996-1998 — vitus_strom   (05.11.2003 11:08, пустое)
        • Институт Прикладной Физики, в ста метрах от ИФТТП :-) — -=Shura=-   (05.11.2003 11:09, пустое)
• Вы можете хотя бы примерно указать допустимые дозы, а лучше ткнуть пальцем где такое можно почитать (для разных процессов производства м/с). — _aquarius_   (05.11.2003 10:19, пустое)
  • Если укажете тип микросхемы - скажу дозу или "ткну носом" — kolega   (06.11.2003 15:27, пустое)
  • Я ж написАл ниже - 10^3 Р выдерживают практически все. Многие выдерживают 10^5 — -=Shura=-   (05.11.2003 10:24, пустое)
    • Я ПроЧитАл вашу версию. Это верно и для 0.18микрон процесса? — _aquarius_   (05.11.2003 10:45, пустое)
      • Ответ: Микросхемы с меньшими расстояниями более радиацонно стойки — vitus_strom   (05.11.2003 11:04, пустое)
      • По моим данным микрухи с меньшими технологическими нормами боятся радиации меньше. Но выборка нерепрезентативная, я тестил только то, что было нужно мне. — -=Shura=-   (05.11.2003 10:48, пустое)
        • Тогда поясните мне несмышленному, как при меньших размерах транзистора, их большем числе получается , что транзистор/дорожку тяжелее поразить радиацией? — _aquarius_   (05.11.2003 11:20, пустое)
          • Ответ: (+) — vitus_strom   (05.11.2003 11:50, 854 байт)
            • Еще немного, пожалуйста: ведь число зон с примесями увеличилось(микруха пообъемнее стала), как тогда? справедливо ли сказанное вами для жестких излучений? — _aquarius_   (05.11.2003 12:36, пустое)
              • Ответ: (+) — vitus_strom   (05.11.2003 13:02, 483 байт)
                • Я имею в виду, что вышесказанное вами справедливо при резком возрастании интенсивности излучения по сравнению с фоновым? — _aquarius_   (05.11.2003 13:09, пустое)
                  • Ответ: Это справедливо при любом потоке энергии как фоновым так и резким как вы говорите — vitus_strom   (05.11.2003 14:32, пустое)
          • Фотону прицелиться сложнее, когда транзистор меньше. ;-)) — -=Shura=-   (05.11.2003 11:32, пустое)
            • Ответ: При рентгеновском облучении поток состоит из электронов :-) — vitus_strom   (05.11.2003 11:54, пустое)
              • Ну не будем спорить о корпускулярно-волновом дуализме. :-)) — -=Shura=-   (05.11.2003 11:56, пустое)
                • Прицелиться в конкретный транзистор сложнее, но транзисторов больше, и каждый выдерживает меньше попаданий ! Как тогда ? — _aquarius_   (05.11.2003 12:46, пустое)
                  • Ну почему больше? Я говорю про одинаковые камни, но с разными технологическими нормами — -=Shura=-   (05.11.2003 13:17, пустое)
                  • соотношение площади легированых зон (типа переходов транзисторов) к общей площади сильно падает при уменьшении технологии — yes   (05.11.2003 13:16, 95 байт)
                    • Ответ: Уважаемый! Интерконнект насколько мне известно делается в нескольких уровнях — vitus_strom   (05.11.2003 14:35, пустое)
                    • А что интерконнект разве не чувствителен к излучениям? — _aquarius_   (05.11.2003 13:22, пустое)
                      • Ответ: Нет, в первую очередь страдает кремний, поскольку для ИМС важна кристаллическая структура — vitus_strom   (05.11.2003 14:36, пустое)
                        • Благодарю за ликбез. P.S. Правда непонятно, почему тогда буржуи в космос отправляют i386, а не Pentium? — _aquarius_   (05.11.2003 16:02, пустое)
                          • Ответ: (+) — vitus_strom   (05.11.2003 16:20, 236 байт)
                            • По поводу пункта (4) - зачем тогда делают радиационно-устойчивые М/С, в чем эта устойчивость выражается? — _aquarius_   (05.11.2003 16:38, пустое)
                              • Ответ: (+) — vitus_strom   (05.11.2003 16:48, 503 байт)
                                • Эти же дефекты(+) — -=Shura=-   (05.11.2003 17:08, 93 байт)
                                • Тут =Shura= указывал величины 10000Рентген - это же огромная доза. Если все так прекрасно, то и при ядерной войне даже не стойкие к радиации М/С будут выходить из строя только от ЭМ импульса! Здесь что-то не так, не правда ли? — _aquarius_   (05.11.2003 17:08, пустое)
                                  • Ответ: Дозы рентгенами не измеряются, дозы насколько я помню измеряются Зивертами — vitus_strom   (06.11.2003 10:01, пустое)