Отправлено vitus_strom 05 ноября 2003 г. 13:02 В ответ на: Еще немного, пожалуйста: ведь число зон с примесями увеличилось(микруха пообъемнее стала), как тогда? справедливо ли сказанное вами для жестких излучений? отправлено _aquarius_ 05 ноября 2003 г. 12:36

1. Транзистор представляет собой ограниченное число таких зон.
2. Смысл такой если меняешь концентрацию дефектов в зоне, начинают плыть параметры транзистора. А поскольку в микросхеме с технологией меньше вероятность рекомбинации выше за счёт меньших расстояний между между зонами (т.е. концентрация дефектов изменяется меньше), то она и получается устойчивей (может выдержать большую дозу) к потоку энергии, которое несёт излучение.
3. Что вы называете жёсткими излучениями???

• Я имею в виду, что вышесказанное вами справедливо при резком возрастании интенсивности излучения по сравнению с фоновым? — _aquarius_   (05.11.2003 13:09, пустое)
  • Ответ: Это справедливо при любом потоке энергии как фоновым так и резким как вы говорите — vitus_strom   (05.11.2003 14:32, пустое)