[an error occurred while processing this directive]
Фигня какая. Чем минусее минус, тем электроны меньше шевелятся :) и стекать им лень становится.
(«Телесистемы»: Конференция «Цифровые сигнальные процессоры (DSP) и их применение»)
Отправлено
SM
22 января 2006 г. 13:38
В ответ на:
Надежность хранения данных в памяти FLASH при низких температурах
отправлено <font color=gray>Gosha</font> 22 января 2006 г. 10:55
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Ответ:
—
Gosha
(22.01.2006 13:42
217.117.80.2
, 75 байт)
Это скорее не собственно хранение, а работа на низких температурах. Хотя (+)
—
SM
(22.01.2006 14:00
213.141.159.26
, 85 байт)
Именно хранение. Что-то там происходит с диэлектриком, и электроны под действием поля просачиваются. Где-то в описаниях на NAND FLASH у Samsung встречал что при низких температурах даные разрушаются. Давно было, не могу сейчас найти.
—
Gosha
(22.01.2006 14:08
217.117.80.2
,
пустое
)
Так квантовые эффекты, в том числе, туннелирование электронов через баръер, вроде, при понижении температуры только лучше проявляются :)
—
Oldring
(25.01.2006 16:54
62.213.72.103
,
пустое
)
Да диэлектрик там оксид кремния - не должно с ним ничего происходить.
—
SM
(22.01.2006 14:12
213.141.159.26
,
пустое
)
Он ведь там особо тонкий, в отличии от EEPROM, у которых этого эффекта нет
—
Gosha
(22.01.2006 14:13
217.117.80.2
,
пустое
)
Вообще-то одинаковый он во флешах и еепромах. И физичиский принцип загоняния заряда на плавающий затвор идентичен. Но если, как вы говорите, в еепромах этого нет, то ее и поставьте - серия 28xx (2864, 28256, и т.п.)
—
SM
(22.01.2006 14:22
213.141.159.26
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru