[an error occurred while processing this directive]
Да диэлектрик там оксид кремния - не должно с ним ничего происходить.
(«Телесистемы»: Конференция «Цифровые сигнальные процессоры (DSP) и их применение»)
Отправлено
SM
22 января 2006 г. 14:12
В ответ на:
Именно хранение. Что-то там происходит с диэлектриком, и электроны под действием поля просачиваются. Где-то в описаниях на NAND FLASH у Samsung встречал что при низких температурах даные разрушаются. Давно было, не могу сейчас найти.
отправлено <font color=gray>Gosha</font> 22 января 2006 г. 14:08
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Он ведь там особо тонкий, в отличии от EEPROM, у которых этого эффекта нет
—
Gosha
(22.01.2006 14:13
217.117.80.2
,
пустое
)
Вообще-то одинаковый он во флешах и еепромах. И физичиский принцип загоняния заряда на плавающий затвор идентичен. Но если, как вы говорите, в еепромах этого нет, то ее и поставьте - серия 28xx (2864, 28256, и т.п.)
—
SM
(22.01.2006 14:22
213.141.159.26
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru