Ответ: («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

---

Отправлено Victor Yurchenko 11 июля 2002 г. 19:24 В ответ на: Uwashaemye, wsglajnite poshalujsta na sxemu, po-moemu tam oshibka отправлено Natasha 11 июля 2002 г. 12:39

Мыслится примерно так:

R1 = (Vin - Vout - Vd1)/( Id1 + Iq1)

Для простоты ток, утекающий в базу Q1 не считаем (составные транзисторы...). Получается следующее: при Vout = 160V (max) падение на R1 минимально, а ток через диод обеспечить надо. Примем этот ток за 1мА. Получим величину R1 = (170-5.1-160)/1мА = 4.9к (Vd1 = 5.1V). Теперь посчитаем, какой будет ток через стабилитрон при R1 = 4.9к и Vout = 1.2V. Получим (170-5.1-1.2)/4.9к = 33мА. Ну и ладненько. В даташите на 1N4733 рабочие токи побольше приведены.
Реально его сопротивление должно быть меньше, т.к. еще транзистору что-то отдать надо. Берешь вых. ток, делишь на бэта, получаешь базовый и вставляешь в формулу.

• Ответ: Ja imenno tak i schitala. Poluchaetsja okolo 4K. — Natasha   (12.07.2002 11:24, 213 байт)
• Ни-чо не понимаю: — Vallav   (11.07.2002 20:14, 356 байт)
  • О токе через диод — Victor Yurchenko   (12.07.2002 12:19, 368 байт)
    • Ответ: — Vallav   (12.07.2002 14:15, 534 байт)
      • Ответ: — Victor Yurchenko   (12.07.2002 15:02, 673 байт)
        • Ответ: — Vallav   (12.07.2002 16:32, 961 байт)
          • Ответ: — Victor Yurchenko   (12.07.2002 17:31, 1807 байт)
            • Кругами ходим: — Vallav   (12.07.2002 20:47, 851 байт)
              • Ответ (надеюсь, последний): — Victor Yurchenko   (15.07.2002 11:58, 454 байт)
                • Ответ: — Vallav   (15.07.2002 15:29, 578 байт)
                  • Ответ: — Victor Yurchenko   (16.07.2002 16:52, 734 байт)
                    • Ответ: — Vallav   (16.07.2002 19:56, 506 байт)
        • Кроме того... — Victor Yurchenko   (12.07.2002 15:10, 89 байт)