Отправлено Vallav 18 апреля 2002 г. 15:12 В ответ на: Ответ: отправлено Shura 18 апреля 2002 г. 14:01

Жду образца для подрожания, т.е.
1) доказательства того, что старенькие транзисторы не подвержены вторичному пробою
2) доказательства того, что новые транзисторы ему подвержены
По образцу попробую ответить. Ну не знаю я что для Вас является
доказательством.

А так же конкретной ссылки где
"обычных для вас оскорблений" не в ответ на Ваше. Ну хоть один разик!
Прошу ссылок уже тучу раз, в ответ одно пустословие. Ссылки!!!!

• ПодрОжать хотите... — Shura   (18.04.2002 15:39, 820 байт)
  • Блин! Различные варианты DMOS (VMOS, HexFET etc) существуют с 80-х годов прошлого века. С тех пор структура не претерпела принципиальных изменений, в любом есть и паразитный диод, и паразитный транзистор. Впрочем, они есть и в совсем старых MOSFET поверхностной стрктуры, но там сильно другое сочетание параметров. — Aleksei Pogorily   (19.04.2002 13:36, пустое)
  • А что,давай со скриншотом продолжим?: — Vallav   (18.04.2002 16:35, 1240 байт)
    • Нет, не продолжим — Shura   (18.04.2002 17:08, 750 байт)
      • Виноват,ошибся на 2 градуса. — Vallav   (18.04.2002 21:09, 478 байт)
        • Я слабо понимаю вашу логику. Что мне должны доказать приведенные фразы? — Shura   (19.04.2002 10:16, пустое)
          • Это: — Vallav   (19.04.2002 10:46, 1013 байт)
            • Разговор слепого с глухим называется. Спрашиваю одно, вы в ответ - совершенно другое. :-/ — Shura   (19.04.2002 10:58, пустое)
              • Увы, доказывать по Вашему образцу образование не позволяет: — Vallav   (19.04.2002 13:45, 1755 байт)
      • Ответ: да.... живи, и учись... Уже и книжкам доверять нельзя... Дожились :-) — Vlad_R   (18.04.2002 17:13, пустое)
        • Не совсем так ;-) — Shura   (18.04.2002 17:44, 666 байт)
          • Ответ: верно — Vlad_R   (18.04.2002 17:59, 142 байт)