Отправлено Vallav 19 апреля 2002 г. 13:45 В ответ на: Разговор слепого с глухим называется. Спрашиваю одно, вы в ответ - совершенно другое. :-/ отправлено Shura 19 апреля 2002 г. 10:58

Разбор образца доказательства от Shura того, что старые феты не под-
вержены вторичному пробою, а новые подвержены:
Первая часть:
"старенькие транзисторы не содержали паразитного диода и соответственно парзитного биполярного транзистора. Поэтому в старых книгах и написано безапелляционно что феты не подвержены вторичному пробою. Эти книги переводятся и выпускаются до сих пор, а ситуёвина уже поменялась."
Вторая часть:
"По поводу вторичного пробоя.
1) Я не обсуждаю вопрос - что лучше его держит, бип. или фет, это сомнению не подвергается. Я предостерегаю от восторгов по поводу его полного отсутсвия - это ложь. Я по этим граблям прошёлся, хотите сами пройтись - ради бога.
2)Диод здесь не главное, главное - технология. Гексагональные вертикальные феты появились позже, речь о них."

В первой части ошибка. Диоды со стока на подложку и с подложки на
исток есть всегда. Но, если подложка не соединена с истоком, они не
прозваниваются. При пробое верхнего диода ( первичный пробой ), если
"диода нет", то это только хуже, весь ток пробоя течет через нижний
диод и вторичный пробой наступает раньше.
Во второй части сначала призыв - верьте мне люди. Затем полный отказ
от утверждения в первой части и красивые слова "гексагональные вер-
тикальные феты" - непонятно, значит доказательно!

3) какие 320 градусов? я говорю о статье Unclamped Inductive Switching Rugged MOSFETs For Rugged Environments.
Цитата из этой статьи, в которой про это написано, оказывается ответом
не является, это "Разговор слепого с глухим называется. Спрашиваю одно, вы в ответ - совершенно другое."

Shura, доказательств от меня больше не будет, только IMXO, не предпо-
логаюшее обоснования. ( оно ведь скромное ).