|
|
Рассказывать чем биполярники отличаются от полевых, про p-n переход и канал полевого - это очень длинный разговор, и с Вами мало продуктивный - есть такая особенность: Вы не хотите слушать других. Но обратите внимание - при одном материале полупроводника, технологии и прочем - всегда pnp уступает по граничной частоте npn. Например биполярные транзисторы npn существуют до Fгр.~ 10 ГГц, а pnp в лучшем случае до Fгр.~1 ГГц. Но если у биполярного время пролета через Переход, который можно сделать очень узким, то у полевика важна длина канала, но если его сделать слишким коротким, то не будет крутизны - управление шириной канала и соответственно проводимостью канала осуществляется полем между затвором и каналом, и при коротком канале такое влияние становится слишком слабым - падает крутизна - поэтому при одном материале полевики хуже по частоте чем биполярные: например кремний Fбип.~10 ГГц, а полевики на кремнии только Fпол.~1 ГГц. А частот ~10 ГГц в полевых транзисторах достигают только в Арсенид-Галлии. Предотвращая Ваши слова про Интел и прочие цифровые MOS транзисторы, хочу добавить: я говорил о дискретных транзисторах с напряжениями 10 Вольт, а не о 1.5 Вольтах и сверхкоротких каналах, сверхтонких затворах вкупе со сверхмалыми емкостями и прочими сверх, применяемыми в современной цифровой технологии.
E-mail: 
info@telesys.ru
