Коллеги, требуется помощь общественного разума.
Развернул альтеровское SDR ядро. В итоге что то работает. Но по результатам, видимо, не все гладко. Память Micron. В QW 5.2 симуляторе относительно нормально. Пишу последовательно блоками (burst) по 8 слов, читаю также.

1. Чтение/запись (READA/WRITEA) идет с auto -precharge (A10 в '1' при обращении). Как это вообще работает? К примеру: активация строки, после CAStoRAS задержки открывается колонка с 000 в младших адресах, после заданного CL пойдут данные, 8 тактов- 8 слов. Все, на этом этапе мне нужно обратиться к следующему блокуу из 8-ми слов (т.е. последовательное обращение к блоку памяти). Что произойдет далее (до нового цикла активации строки)- данные будут крутиться по кругу в пределах адреса колонки? Надо ли принудительно давать burst term в этом режиме, и когда запускается auto -precharge.

2. Как проверить корректность записи/чтения памяти?
Пишу следующую последовательность:
A8,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,...и т.д. где A(15 to 4) счетчик увеличивающийся при обращении к новой колонке (т.е. 1 раз для 8 слов)
По чтению следующий результат (млад.байт старш. байт):

00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 00 FF FF
00 00 07 00 06 00 05 00 ................. 01 00
08 00 17 00 16 00 .....
т.е. a)проваливается 1-ая строка b) данные в пределах строки смещены на одно слово

3. Есть модель verilog от Micron для данного кристалла. Можно ли произвести симуляцию проекта используя данную модель и как это делать. Вот тут вообще чайник. Т.е. на пальцах объяснить как прикрутить модель в проект для симуляции.

4. При снятии питания, такое ощущение что записанные в SDRAM данные достаточно долго сохраняются (не менее 30 сек). Такое возможно? Или тоже искать косяк?


Премного благодарен.