Отправлено Bill 09 ноября 2004 г. 08:54 В ответ на: Вопрос про NAND Flash... отправлено Jolik 09 ноября 2004 г. 04:03

уровень, то м/с просто переходит в состояние ожидания и снижается потребляемая мощность. Это удобно, когда паузы между двумя последовательными импульсами RE достаточно большие. Самое главное, чтобы CE был устанавлен в время активного уровня RE. А поскольку для выхода из режима ожидания требуется дополнительное время, то общее время чтени страницы увеличится. Описания под рукой нет, но Вы можете сами найти все требуемые времена в DS.

• Задам вопрос по другому... — Jolik   (09.11.2004 10:33, 286 байт)
  • МОЖНО! Операция чтени будет продолжаться до тех пор, пока Вы не выдадите новую команду. — Bill   (09.11.2004 11:41, пустое)
    • Премного благодарен... — Jolik   (09.11.2004 11:53, пустое)
  • Какую команду? По умолчанию во всех известных мне flash-памятях микросхемы не ждут продолжения команд (которые всегда состоят из нескольких записей комбинаций байт), а готовы к обычному чтению — Elektronik   (09.11.2004 10:42, пустое)
    • Видимо имеется в виду burst, т.е. чтение страницы целиком — -=Shura=-   (09.11.2004 10:50, пустое)