... в условиях применения Flash памяти второго поколения (с очень высокой скоростью записи – 32 мкс/байт, что до 100 крат быстрее скорости программирования типовой встроенной Flash памяти («Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)

... в условиях применения Flash памяти второго поколения (с очень высокой скоростью записи – 32 мкс/байт, что до 100 крат быстрее скорости программирования типовой встроенной Flash памяти

(«Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)

Отправлено ПАВЕЛ 15 июня 2004 г. 11:44
В ответ на: Время записи в EEPROM мало зависит от типа МК, больше от технологии изготовления. Меньше 2,5 мС не видел. отправлено =L.A.= 15 июня 2004 г. 11:42

http://www.cec-mc.ru/read/art21.shtml

Составить ответ ||| Конференция ||| Архив

Ответы

Советую поискать ссылки на тему: "чем отличается EEPROM и FLASH память" — =L.A.= (15.06.2004 11:49, пустое)
- А что, у 908-го памяти дпнных (как ЕЕПРОМ у ПИКов) нет? — ПАВЕЛ (15.06.2004 11:56, 74 байт)
  - Ответ(+) — _MICV_ (15.06.2004 12:20, 465 байт)
    - _MICV_ один вопрос, какое время записи одного байта во флешь у 908? — ПАВЕЛ (15.06.2004 12:31, пустое)
  - в 908 не видел. В Нитронах не знаю, сомневаюсь почему-то — DASM (15.06.2004 12:18, пустое)

Перейти к списку ответов ||| Конференция ||| Архив ||| Главная страница ||| Содержание ||| Без кадра

E-mail: info@telesys.ru