Отправлено adw 07 октября 2003 г. 17:31 В ответ на: Кто работал с Samsung NAND FLESH, подскажите пожалуйста. отправлено back 07 октября 2003 г. 10:19

Плохие блоки нельзя использовать, даже хотя бы одну страницу (do not try to
access these invalid blocks for program and erase). Это связано с тем, что
стереть можно только блок целиком, отдельную страницу стереть нельзя, даже если
бы было известно какие страницы плохие, какие хорошие. Поскольку, информация
о плохих блоках находится в них самих, то стирать их нельзя (иначе эта
информация будет утрачена).
Микросхемы поставляются чистыми, но если по адресу 517 в первой и во второй
страницах (Samsung надеется, что И в первой И во второй; реально - хотя бы в
первой ИЛИ второй) не 0xFF, то блок - плохой. Его нужно полностью обойти при
использовании. Максимальное количество плохих блоков регламентируется, поэтому
общая емкость памяти не будет ниже заявленной при использовании запасной области.
Например для K9F2808U0A всего блоков 1024, хороших - не менее 1004. При 1004
хороших блоках общая емкость памяти 16963584 байт, то есть больше 16777216
(16Мб).
Мы использовали K9F2808U0A, проверяли несколько чипов, почти все содержат 1-2
плохих блока, некоторые полностью хорошие.
ВАЖНО. Плохие блоки могут появлятся при эксплуатации (additional invalid blocks
may develop while being used), гарантируется только, что их количество не
превысит определенное. Нужно использовать корректирующие коды, исправляющие
ошибки, мы использовали Хэмминга.