Если б ты еще и знал напряжение Uбэ - цены б тебе не было... Под Uбэ в формулах понимается напряжение на соответствующе p-n переходе, а не на ногах транзистора. База же не идеальная, она имеет сопротивление, на котором при протекании тока базового падает напряжение. В результате напряжения на переходе и на ногах будут отличаться. Причем в зависимости от экземпляра транзистора. Кроме того, тепловой ток, входящий в формуы, зависит от толщины базы. Которая тоже от экземпляра тр-ра зависит. Это, и многое другое, о чем тебе пишут, технологические отличия. Они минимальны, когда транзисторы в одном техн. цикле делают. Как в сборках.
Отправлено
-=ВН=- (83.149.44.179) 04 сентября 2012, г. 21:34
В ответ на:
Ответ: "Следует запомнить что в транзисторе ток коллектора зависит от напряжения между базой и эммитером а не от тока базы (ток базы в грубом приближении определяется h21э)" ХХ ст. 113 отправлено
Двоешник 04 сентября 2012, г. 12:00