[an error occurred while processing this directive]
Документацию нужно не только читать, но и понимать.
(«Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)
миниатюрный аудио-видеорекордер mAVR

Отправлено Oldring 25 июля 2002 г. 13:29
В ответ на: Я вижу, Вы не большой любитель документацию почитать отправлено Shura 25 июля 2002 г. 12:00

1. Если емкость нелинейная, на графике обычно указывают зависимость дифференциальной емкости от напряжения, т. е. dQ/dU. Т. е. dQ = C dU. Чтобы найти заряд, втекший в эту емкость, нужно проинтегрировать dQ от начального напряжения до конечного. Ни о каком уменьшении заряда на емкости при увеличении напряжения речь при этом не идет. В случае с нелинейной физической емкостью это просто запрещено законом сохранения энергии. В случае с псевдоемкостями вроде емкости Миллера ситуация несколько сложнее, так как напряжение меряется между затвором и истоком, а заряд закачивается со стока, и величина закачиваемого заряда непосредственно зависит от внешней схемы, задающей напряжение на стоке. Именно по этой причине Вы никогда не увидите график зависимости емкости Миллера от напряжения для транзистора в отрыве от внешней схемы - емкость Миллера не является функцией напряжения затвор-исток.

2. По поводу надежд на малость заряда при малых напряжениях. Надеюсь, Вы четко понимаете, что речь идет про малые _изменения_ напряжения и _изменения_ заряда? В этом случае из графика 5 для IRF9520 видно, что в рабочем режиме транзистора C ограничено, dQ = C dU, т. е. dQ стремится к нулю когда dU стремится к нулю. В принципе, особенности могут быть только в районе нулевого напряжения, непоказанного на графике, если емкость устремляется в бесконечность. В любом случае для емкости затвора МОП-транзистора это невозможно, да и не особенно интересно. Так что это не пустые надежды - я знаю, что это так.

3. Далее, по поводу подтасовки. В оценочных рассчетах коэффициент 2-3 большой роли не играет. В конце концов, не принципиально, будет течь через резистор 0.5А или 200мА. С другой стороны, емкость нелинейная и нужно перестраховываться. Например, потому что согласно таблице для IRF9520 даже при Vds=25V входная емкость Сiss = 350pf, а мы знаем, что при меньшем напряжении емкость возрастает. Из графика 5 видно, что при Vgs=0 и Vds=3В Ciss=500pf. Это без учета эффекта Миллера, который без детального рассмотрения внешней схемы учесть невозможно.

4. Пояснение про эффект и заряд Миллера. В таблице действительно есть строка "Gate-to-Drain ("Miller") Charge" Только не забудьте посмотреть на последний столбец, в котором указаны условия, и на рис. 13, где нарисована схема измерения этого заряда. Для ключевого режима этот параметр действительно важен (открыли - заперли), только вот к линейному режиму, в котором работает транзистор стабиллизатора тока, он никакого отношения не имеет. Качественный эффект-то есть, но вот количество заряда зависит от схемы включения, поэтому для рассчетов это понятие гораздо менее полезно, чем линеаризованные модели. И уж строка в таблице с названием "Gate-to-Drain ("Miller") Charge" никакого отношения к рассматриваемому вопросу не имеет совершенно.

Составить ответ  |||  Конференция  |||  Архив

Ответы



Перейти к списку ответов  |||  Конференция  |||  Архив  |||  Главная страница  |||  Содержание  |||  Без кадра

E-mail: info@telesys.ru