Прикладывали бы DS, что ли. А то с трудом нашёл нечто на SKKT106. Хотя в их обозначениях мне разобраться не получилось;) - возможно IGD - ток утечки Gate-Drain(?) и при плохом раскладе может достигать аж 6 мА IGD Tvj = 130 °C; d.c. max. 6 mA Посмотрел у BT151X series C от NXP - там ток утечки до 0.5 мА (только к чему относится - тоже хрен пойму - тиристоры сто лет назад применял и не очень-то в их тонкостях разбираюсь).