Текст заголовка сообщения полностью: Технология планарно-эпитаксиальных транзисторв, по которой изготавливается большинство современных транзисторов, обеспечивает пробивное напряжение перехода база-эмиттер в пределах 7-10 В, если не рассматривать СВЧ-транзисторы, в них меньше. Большое пробивное напряжение перехода база-эмитер у транзисторов с эпитаксиальной базой (КТ503).