В КТ3 нет никаких хитростей. Т.е. конечно есть, но это не хитрость. Там всего лишь подложку p-ключа принудительно соединили с его же истоком (что, заметьте, во всех дискретных полевиках сделано сразу). Это позволило за счет увеличения площади ключа (питание n-кармана, в котором делается p-транзистор, стало вместо Vcc плавающим, что потребовало больше дистанции между карманом и ближайшим n-транзистором) уменьшить нелинейность ключа. Суть в том, что за счет фиксирования потенциала подложки p-ключа на уровне его истока аннулировали т.н. "body effect", который приводит к дополнительному изменению Ron при фиксированном Vgs и каком-то не нулевом Vbs. Т.е. Одна из проблем КМОП-ключей на стандартной КМОП-технологии - это невозможность соединения подложки n-транзистора с его истоком, так как подложкой является сама пластина, которая GND. Это кстати жестоко ограничивает качество аналоговых схем на цифровых КМОП-технологиях (с одним n-карманом). И одновременно обычно не знакомо проектировщикам, работающим с дискретными полевиками, среди которых очень сложно найти те, где вывод подложки не соединен с выводом истока.

Теперь про вброс заряда. Доп ключ, введенный в КТ3, который коммутирует потенциал n-кармана, действительно немного уменьшает инжекцию. Но не на столько, чтобы это было как-то заметно. Инжекция (при открытии ключа) определяется исключительно тем, сколько заряда всадил n-транзистор минус сколько забрал обратно p-транзистор. Учитывая то, что для получения того-же Ron для p-транзистора, который был выбран для n-транзистора, из-за особенностей технологии приходится делать p с w/l большим в 3..5 раз, чем n - получается, что емкость затвор-канал у p во столько же раз больше, чем у n... И поэтому вброс заряда от n-канала не компенсируется забором этого заряда p-каналом. Что делать для уменьшения?? А ввести никому не нужные n- и p- канальники, которые только занимаются отсосом и вбросом зарядов с входа и выхода, рассчитав их площади так, чтобы они друг друга (и ключ) компенсировали. Возвращаясь к КТ3 - там этого нет. Но, Вы правильно заметили, что он лучше многих других ключей по параметру вброса заряда. По сравнению с n-моп ключами исключительно потому, что он КМОП, и транзистор с противоположным каналом частично компенсирует другого. А по сравнению со старыми КМОП - лишь тем, что изменилось легирование областей полевиков, что позволило сделать меньшее отношение размеров p полевиков к n при около-одинаковых их характеристиках.