там же как раз вход полевика в линейный режим обуславливает открытие p-n-p транзистора и быстрое дальнейшее закрытие. Без захода в линейный никак не выйдет.

ЗЫ
с терминологией мы тут что-то крепко запутались, и я навреное виноват тут. Под линейным режимом полевика я подразумеваю на самом деле его насыщение :) :) т.е. когда из линейного режима (triode region, который характеризуется тем, что канал ведет себя как резистор с Rdson), полевик переходит в режим, близкий к источнику тока (saturation region).

А путаница потому, что для биполярных транзисторов насыщение, это когда он "смертельно открыт". А для полевиков "смертельное открытие" - линейный режим. А насыщение наступает тогда, когда Vds > (Vgs-Vth), и полевик начинает "самозакрываться" с возрастанием Vds, что обеспечивает его работу как источника тока.

Так что - правильно будет сказать:

там же как раз вход полевика в насыщение обуславливает открытие p-n-p транзистора и быстрое дальнейшее закрытие. Без кратковременного захода в насыщение никак не выйдет.