дык буквовки я разбираю, и даже цифирки. однако не представляю техпроцеса, при котором толщина слоя диэлектрика (или окисла) может в несколько раз отличаться в пределах кристалла. скорее ресурс флеши умышленно занижают(в расчете на ячейку), имея ввиду блочную запись..

Отправлено pau62 31 марта 2007 г. 23:33
В ответ на: Это абсолютно тот же техпроцесс, а в различиях характеристик Flash и EEPROM можешь убедиться по любому ДШ от АВР - у Flash 10K циклов, у EEPROM - 100K отправлено =AVR= 31 марта 2007 г. 23:25

---