Отправлено Точка опоры 06 декабря 2001 г. 14:33 В ответ на: Хоть я и не ОРЕЛ(+) отправлено L.A 06 декабря 2001 г. 13:27

Как сказать...
1. Диод образованный переходом с p+ кармана ( область стока выходного n-канального транзистора ) на n-подложку ( соединённую, как правило, с Vcc ) иначе как паразитным не назовёшь.
2. Есть изопланарная технология, в которой для каждого (!) активного элемента формируется свой "кармашек", со всех сторон окружённый окисью кремния(IV). Есть вариант этой технологии, в котором изоляция окислом идёт только по боковым граням ( при этом для ускорения роста окисла его формирование ведётся в присутствии водяных паров ), а снизу изоляция идёт через pn-переход к низколегированной подложке.

А какие ещё есть варианты? Не считая КНС.
У нас на практике, одному чуваку досталось расчёт технологического маршрута изготовления структыры КНС. Наверное интересно было...