[an error occurred while processing this directive]
Чем ниже температура тем ниже утечка заряда
(«Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)
Отправлено
si
21 января 2006 г. 22:46
В ответ на:
Сохранность даных во FLASH памяти при низких температурах
отправлено <font color=gray>Gosha</font> 21 января 2006 г. 22:42
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Там может
—
scorpion
(21.01.2006 22:50
83.237.20.66
, 149 байт)
Ну так это проблемы корпусировки а не кремния
—
si
(21.01.2006 22:53
62.244.62.24
,
пустое
)
Ну так
—
scorpion
(21.01.2006 22:55
83.237.20.66
, 209 байт)
Так человек взагали спрашивает. А физических явлений способствующих стеканию заряда при низких температурах я в литературе не встречал
—
si
(21.01.2006 22:58
62.244.62.24
,
пустое
)
Я тоже не помню такого. Скорее всего, из-за 'коробления' кристалла.
—
scorpion
(21.01.2006 23:01
83.237.20.66
,
пустое
)
Ответ:
—
Gosha
(21.01.2006 22:48
217.117.80.2
, 50 байт)
Какой эффект? Насчет высоких знаю. Насчет низких все только на уровне слухов.
—
si
(21.01.2006 22:51
62.244.62.24
,
пустое
)
вроде "стекание памяти" называется. Слышал об этом пару лет назад, точно не помню
—
Gosha
(21.01.2006 22:53
217.117.80.2
,
пустое
)
Так это при высоких происходит.
—
si
(21.01.2006 22:55
62.244.62.24
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru