|
|
ничего не устарело. Даже на 90нм у TSMC канавы травят и оксид туды осаждают... А p-карманы просто необходимы, если хочется флеш сделать. А если флеш не надо, то и p-карманов не надо. Сама подложка обычно p. Ну а бороться с тиристорностью довольно просто - защитная область n-типа, на плюс коротнутая. И побольше контактов между p и землей. Можно добиться, что тиристорное защелкивание наступает при скачках, превышающих напряжение пробоя подзатворного оксида... Вот это небось в пиках и имеется. Просто грамотно сделанные IO-пады.
|
|
E-mail: 
info@telesys.ru
