Геометрия памяти 2 микросхемы Micron MT48LC16M16A2 16M x 16 bits, те 16M x 32bits в итоге.
4 Meg x 16 x 4 banks
Refresh count 8K
Row addressing 8K (A0–A12) 8K (A0–A12) 8K (A0–A12)
Bank addressing 4 (BA0, BA1)
Column addressing 512 (A0–A8)
В целом все работает кроме одного - при переходе адрессации через 0x800 (байтовый адресс равный 0х200 при 32bits) первое чтение ошибочно. Те при смене столбца первые данные ошибочны, второе и последующие - правильные. Настроек SDRAM контроллера всего немного, 4 переменных
SDRAM CAS Latency, SDRAM Row Precharge Delay, SDRAM Row to Column Delay, SDRAM Row Cycle Delay. Перепробывал все возможное, а воз и ныне там. Может ктонить дать свежую идею? ошибок в разводке нет, инициализация вродебы работает, рефреш время корректное.