Отправлено Sultantiran 18 февраля 2004 г. 15:01

Кто нибудь знает точно, какой ток сможет выдержать транзистор при импульсе 300 микросекунд? В спроавочной литературе указывается при длительности 8,3милисекунды или нет? Интересуют их соотношения по макс. амплитуде.
Например у меня после моделирования в Микрокапе при тестировании схемы на КЗ (в режиме ключа) на транз. кт829В вылетает импульс 300мкс амплитудой 38А, далее поддерживается на уровне 0,8А (схемка ограничения тока на 2-ух ОУ в зависимости от нагрузки от 2,5 ома - 16 ом). При этом, по паспорту на транз. макс.имп.ток 12А. Напряжение питания схемы 13-14В. Нагрузка индуктивная от 1,5 милиГ до 8 милиГ. Данные транзисторы выбраны по соотношению цена/ток.
Если есть такая-же инфа по полевикам, то тоже приветствуется.

• Ответ: Такая инфа по полевикам есть в любом даташите и определяется как увеличение макс. температуры кристалла по графику thermal impedance vs. tpulse. Где-то у IRF в аппнотах это было подробно расписано. — Dimich   (18.02.2004 16:23, 84 байт)
• Ответ: Лучше заменить — Vjacheslav   (18.02.2004 15:25, 398 байт)
  • Ответ: — Sultantiran   (18.02.2004 20:48, 735 байт)
    • Ответ: Ну это просто — Vjacheslav   (18.02.2004 21:51, 319 байт)
  • Ответ: — Sultantiran   (18.02.2004 20:34, 219 байт)
    • Ответ: Несколько даже обескураживает! Конечно точно. — Vjacheslav   (18.02.2004 21:54, пустое)
      • Ответ: — Sultantiran   (23.02.2004 20:23, 55 байт)