Отправлено PK 15 октября 2002 г. 15:09

Сейчас эксперементирую с полумостом на MOS FETах. Напряжение питания 300В. Транзисторами полумоста управляю с выхода ШИМ-модулятора процессора через оптроны 6N136+инвертор+драйвер. Светодиоды оптронов подключены к выходу ШИМ-модулятора через резисторы. Один на землю, другой на +5В - этим достигается инверсия сигналов управления половинками полумоста. Т.е. специальных мер по генерации dead time не предпринято.
Сквозных токов через мост не замечено. Но мучают сомнения по поводу их возникновения. Частота ШИМ 20кГц.

• Спасибо за коментарии — PK   (16.10.2002 09:14, пустое)
• Ответ: — AK   (15.10.2002 15:33, 463 байт)
  • Ув. АК более, чем прав. — -=Shura=-   (15.10.2002 18:29, 272 байт)