Телесистемы
 Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры
На главную   | Карта сайта | Пишите нам | В избранное
Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:jobsmp@pochta.ru

Телесистемы | Электроника | Конференция «Аналоговая схемотехника»

Нет, не правильно! Пленка разрушается, когда напряженность поля достигает примерно 10^9 В/м. Но разрушать пленку нет необходимости.

Отправлено Леонид Иванович 24 мая 2008 г. 17:26
В ответ на: почему миф? вроде преподавали в институте отправлено <font color=gray>Просто_я</font> 24 мая 2008 г. 13:13

"Экспериментальные исследования прохождения тока через тонкопленочную систему металл-диэлектрик-металл показывают, что при малых толщинах диэлектрических слоев (d < 500 нм) и сравнительно малых температурах ток в сисеме обусловлен в основном туннельным эффектом".
А то, о чем Вы говорите, называется фриттинг - разрушение толстых оксидных пленок (d > 20 мкм). Разрушение происходит при достижении критической напряженности поля.
Напряжение, при котором происходит разрушение оксидной пленки, называется критическим. Для контактов из серебра оно составляет порядка 30 мВ. При напряжении ниже критического контактное сопротивление зависит только от силы сжатия и не зависит ни от тока, ни от напряжения.


Составить ответ | Вернуться на конференцию

Ответы


Отправка ответа
Имя*: 
Пароль: 
E-mail: 
Тема*:

Сообщение:

Ссылка на URL: 
URL изображения: 

если вы незарегистрированный на форуме пользователь, то
для успешного добавления сообщения заполните поле, как указано ниже:
введите число 97:

Перейти к списку ответов | Конференция | Раздел "Электроника" | Главная страница | Карта сайта

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru
 
Web telesys.ru