резонансное управление затворами фетов («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

---

Отправлено Vlad_R 07 июля 2002 г. 21:03

в application note "Drive circuits for power mosfets and igbts" - AN524/0994 от ST, на стр. 6/10, 7/10 изложена идея резонанснойцепи упр-я затвором мощных ФЕТОВ.

Идея в том, что вместо затворного резистора используется индуктивность.
При этом, скор. заряда(думаю и разряда) входной емкости возрастает в 2 раза.

Прошу уважаемых участников конференции прокомментировать сию идею, а если можно, то и подумать, какие расчетные параметры выбрать для определения значения затворной индуктивности.

• 1) Резонанс бывает только на одной частоте, поэтому ШИМ, ЧИМ сразу отпадает. 2) Емкость затвора - это емкость контура? Тогда нужна подстройка резонанса, т.к. есть неизбежный разброс. Нужны будут подстроечные конденсаторы, а также сама процедура настройки. — L.A.   (09.07.2002 21:33, пустое)
  • Ответ: ЧИМ - понятно. ШИМ- надо подумать.. А подстроечники- это уже головняк.. — vlad_r   (11.07.2002 22:21, пустое)
    • Наоборот. ШИМ точно не проходит. — Shura   (12.07.2002 10:32, пустое)
• Вопрос:а по простому не получается? — bam   (09.07.2002 09:38, пустое)
• Ответ: что, никто не имеет мнения на эту тему ??? — vlad_r   (08.07.2002 18:49, пустое)
  • Чем меньше индуктивность, тем лучше: — Vallav   (08.07.2002 19:58, 5 байт)
    • Ответ: Да, видать никто в этой конфе не сталкивался с таким... :-) — vlad_r   (09.07.2002 20:57, пустое)
      • Вы читать умеете?: — Vallav   (09.07.2002 21:47, 85 байт)
        • Ответ: спорить не буду, т.к. сам я не сталкивался. Однако, аппноты тоже вроде не дурни пишут. ... — vlad_r   (11.07.2002 22:18, пустое)
          • Ответ: — Vallav   (12.07.2002 08:26, 704 байт)