[an error occurred while processing this directive]
Посмотрел бы я на p-n переход с насыщением в несколько десятков милливольт... Впрочем, всё равно не устроит - ток гасить надо полностью.
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
Ку!
02 июня 2006 г. 16:38
В ответ на:
Кстати и биполярным можно, если ток делителя маленький то напряжение насыщения может быть в районе десятков милливольт
отправлено BlackPrapor 02 июня 2006 г. 10:21
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
насыщенный биполярный транзистор это не п-н переход. См. "режим двойной инжекции"
—
Dimitris
(02.06.2006 17:52
194.44.62.151
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru