который вырабатывается МК и открывает полевой транзистор. Причем для меня важна амплитуда заднего фронта импульса. Сейчас длинна импульса 300ns. Необходимо около 50нс. С точки зрения схемотехники критичен как размер схемы, так и ее потребление. Интгрированием не получается, так как амплитуда заднего фронта уменшается значительно. Впринципе я думал сделать по такому принципу(одновибратор?): медленно заряжать конденсатор и когда его заряд скажем 0,6В, запускать управляющий МОСФЕТом имульс, когда заряд поднимается до 3, сбрасывать импульс. Как это более граммотно реализовать схемотехнически. Спасибо.
info@telesys.ru
