Отправлено ВН 05 июня 2002 г. 19:06 В ответ на: Vallav, хватит лавировать между фактическими параметрами и заявленными в даташите. отправлено Shura 05 июня 2002 г. 11:44

Место подходящее, 3-ий человек вмешался. Ну и я туда же. Явных упоминаний о макс. емкости нагрузки в datasheet-ах я не встречал. Обычно для заданной емкости нагрузки нормируются временные параметры. Техас, кстати, для HC имеет за пазухой 2 емкости нагрузки-50пф и 150пф. 50 для слаботочных выходов, типа HC04, 150 для сильноточных, например HC244. Но это несколько не то.
Указывают максим. непрерывный выходной ток, но он, в силу своей непрерывности, мало волнует. Для емкостной нагрузки с исправными емкостями, конечно. Иногда указывают максимальный кратковременный выходной ток и время этой кратковременности. Время порядка мс и
учет этого тока требуется все-таки при больших емкостях.
Однако существует еще одно неявное ограничение на емкость нагрузки. Связано с мощностью рассеивания или, если угодно, с температурой кристалла Tj.
Мощность рассеиваемая КМОП микросхемой при работе на емкостную нагрузку:
P=Pstat+Cpd*F*U^2+n*Cl*F*U^2.
Pstat=U*I -мощность в статике, мала.
Cpd*F*U^2-мощность в динамике, выходы ни на что ненагружены.
Cpd-C power dissipation, обычно приводится в datasheet.
F - частота.
n*Cl*F*U^2- мощность в динамике за счет емкости нагрузки, n-число выходов работающих на емкость Cl с частотой F.
Собственно этот член в общем случае должен быть суммой по выходам, в
которой каждому выходу свои Cl и F.
P должна быть меньше Pmax. А Pmax=(Tj-Ta)/Rt.
Ta-окружающая температура, Rt-тепловое сопротивление.
Ограничение скорее формальное, к тому же не всегда указываются (или долго искать надо) Pmax или Tj,Rt. Да и от типа корпуса они зависят. Но, тем не менее, ограничение есть.

• Ответ: — Vallav   (05.06.2002 20:57, 164 байт)
  • Ответ: — ВН   (05.06.2002 21:53, 326 байт)