Отправлено Vallav 30 мая 2002 г. 15:17 В ответ на: Ответ: отправлено bam 30 мая 2002 г. 14:33

"см п.1-4 предыдущего ответа." - там не написано, чем маленькое ton
плохо. Хотелось бы поконкретнее, типа: при ton меньше, чем ... резко
растут потери в ... в связи с ... . Чем большие ton плохо: резко рас-
тут потери в полузапертом канале фета, равные Iм*Uм*ton/6+Ec, когда время
ton превыщает время зарядки емкости Cси. До этого потери в канале
постоянны и равны энергии Ec в емкости Cси+паразитная_монтажа+деталей_
подключенных_к_стоку.

"был как то флейм про предельную скорость востановления паразитного
диода 3-5В/нС но я так понимаю это для вас не аргумент.
или я ошибаюсь?" - аргумент, но при условии, что диоду ( не паразит-
ному, а специально сделанному вместо паразитного ) надо восстанавли-
ваться. Т.е. ток через диод перед подъемом Uси не был равен нулю.
В преобразователях SMPS ток равен нулю.

• Третий раз: — Vallav   (31.05.2002 14:22, 272 байт)
  • Ответ: Sorry — bam   (31.05.2002 17:01, 1381 байт)
    • Ответ: — Vallav   (31.05.2002 20:25, 1483 байт)