Отправлено etechnika 19 февраля 2006 г. 21:10 В ответ на: Можно ли заменить диод n-канальным MOSFET'ом, подключив сток и затвор к плюсу источника питания, а сток использовать как катод получившегося псевдо-диода? отправлено <font color=gray>gudron</font> 15 февраля 2006 г. 00:22

то есть в параллель диоду канал,
но есть одно но, которое заставит отказаться от Вашей идеи,
чтобы МДП открылся между затвором и стоком (или истоком смотря какая схема включения) нужен потенциал порядка От 3...5 Вольт у обычных и 2...3 Вольта для транзисторов, управляемых логическими уровнями,
но это пороговые напряжения открытия, для наименьшего значения сопротивления сток-исток необходимо 10 Вольт для обычных МДП и 5 Вольт для транзисторов управляемых от ТТЛ уровней ИС.
Но реализация возможна если управлять затвором, а сток привязан к минусу.
Мы использовали инверсное включение транзистора, как раз из-за того, что нам мешал диод, спроектированное зарядное устройство, без гальванической развязки с балластным конденсатором, вот там конденсатор закорачивался, когда уровень стабилизируемого напряжения превышал опорное, а транзистор был ключом на аккумуляторную батарею n-МДП, вкратце.

• http://www.etechnika.ru

E-mail: info@telesys.ru