[an error occurred while processing this directive]
насколь помнится из лекций - реально. у углеродных подвижность носителей значительно (цифры не помню) больше, и больше ширина запрещеной зоны (прямое падение перехода)
(«Телесистемы»: Конференция 'Аналоговая схемотехника')
Отправлено
LordN
23 января 2006 г. 20:31
В ответ на:
SiC MOSFETы с киловольтами и гигагерцами - реально или художественный свист?
отправлено <font color=gray>Artem</font> 22 января 2006 г. 05:24
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
NoIX ключ
:
Запомнить
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
E-mail:
info@telesys.ru