Отправлено De_User 09 июля 2005 г. 21:08 В ответ на: Ответ: Нет, работаем на 100 КГц, в затворах 10 Ом, 256 бит ШИМ, те где-то надо 80 нс вложиться отправлено <font color=gray>ISD</font> 09 июля 2005 г. 20:35

Цитата: "Радиаторы транзисторов наоборот холодные."
=================================================================
это значит что у Вас хорошие фронты и приемлимое падение.
Что не мешает при возникновении паразитной ВЧ генерации
пробить (от теплового перегрева) сам кристал MOSFET.
=================================================================
80 нс - это чтобы min 5 ед ШИМ соответствовать?
100 кГц = 5 мкс * 5 / 256 = 100 нс.
Кстати, задержка включения и выключения - это отдельно
А длительность фронта как правило в разы меньше.
Т.е. при резисторе 10 Ом (без диода) время включения будет меньше,
чем выключения. Т.к. напряжение отсечки VGS для IRFP460 от 2 до 4В.
==
Можно ожидать время задержки включения (td) около 50...100 нс и длительность фронта (tr) 30...50 нс. Вам ИМЕННО ТАК БЫСТРО НАДО?
+
Можно ожидать время задержки выключения около 100...200 нс и длительность фронта 50...80 нс.
=================================================================
Если партия, то подумать разумеется надо.
Любая переделка - это недели сроков и стоимости.
==================================================
Кстати о трансформаторе тока.
У IRF есть просто датчики тока IR2171 / IR2175.

• Пауза обязательна. Аппаратная. 1...2%, можно больше. Иначе - полёты и вылеты.... — De_User   (09.07.2005 21:11 213.189.224.135, пустое)