Отправлено Чукча 18 мая 2005 г. 11:28

Создал структуру "металл-p-n-металл-n-p-металл" в областях n основными носителями являются электроны, но что то не хотят они переходить из одной n области в другую через металл(а я думал металл идеальный проводник для электронов), и поэтому не могу добиться усиления :-( в созданном мной транзисторе. Похоже где то я чего то не понимаю :-(
ПОМОГИТЕ!!!

• А без металла не пробовал ? — nikolayus   (19.05.2005 11:14 195.91.140.101, пустое)
  • У меня нет таких инструментов чтобы аккуратно разобрать диод :-( — Чукча   (19.05.2005 11:45 207.44.180.48, пустое)
• Спаяй из двух диодов ;-) — -=Shura=-   (18.05.2005 11:32 217.21.50.10, пустое)
  • Ага. Заодно средний "металл" будет управляющим электродом. А вообще тут почитать надо, только не про проводимость, а про энергетические уровни. — Dimitris   (18.05.2005 11:46 194.44.62.151, пустое)
    • А что про уровни почитать? — Чукча   (18.05.2005 11:54 207.44.180.48, пустое)
      • Зонную теорию, МДТТ(возможно), любой учебник по твёрдому телу, это присказка, лучший вариант - спросите специалиста. — Неизвестный   (18.05.2005 11:58 213.221.24.178, пустое)
        • Вот я и спрашиваю тут. Где я вам специалиста дома достану? До ближайшего соседа два дня пути и то он микробиолог по совместительству :-( — Чукча   (18.05.2005 12:03 207.44.180.48, пустое)
          • Тогда читать. Это муторное занятие, но если у Вас мазохистские наклонности... — Неизвестный   (18.05.2005 12:11 213.221.24.178, пустое)
        • Тут такая штука - диффузия, однако. Это когда мух от котлет отделить невозможно по причине их смешения на стадии приготовления фарша. Такая вот ситуёвина ;-) — Dimitris   (18.05.2005 12:02 194.44.62.151, пустое)
          • А вроде нынче имплантация в большем почете... — SM   (18.05.2005 12:14 213.234.205.74, пустое)
          • Вот я и не понимаю, ну вместо одной зоны диффузии - две. Неужели это катострофично? — Чукча   (18.05.2005 12:06 216.127.82.99, пустое)
            • Катастрофично не две зоны диффузии, а 'n_n+_металл_n+_n' вместо простого 'n' — SM   (18.05.2005 12:16 213.234.205.74, пустое)
              • А.. начинаю понимать. То есть я вместо транзистора получаю что то типа семистора? — Чукча   (18.05.2005 12:23 66.98.198.60, пустое)
                • Нет, Вы получаете два диода, включенных встречно. И подача тока в точку их соединения совершенно не приведет к тому, что пойдет обратный ток через второй диод. — SM   (19.05.2005 12:14 213.234.205.84, пустое)
                • Нет. здесь 2+2 не равно 4. Иначе бы все паяльники тиристоры из двух диодов делали - так дешевле... — Dimitris   (18.05.2005 12:40 194.44.62.151, пустое)
            • Хорошо, начнем сначала: "хочу создать транзистор с нужными мне характеристиками". Чем не удовлетворяют существующие ? — Dimitris   (18.05.2005 12:15 194.44.62.151, пустое)
              • Диодов у меня много и разных. Транзисторов мало. — Чукча   (18.05.2005 12:17 216.127.82.97, пустое)
                • Блин, не могу понять - если производитель не даёт модели элементов(диоды не считаем), кокого лешего Вы с ними тусуетесь? — Неизвестный   (18.05.2005 12:26 213.221.24.178, пустое)
                  • Да прикалывается он, ненапрягайтесь :-) — -=Shura=-   (18.05.2005 12:38 217.21.50.10, пустое)
                  • Он не только модели, он и транзисторов, падла, не дает... — Dimitris   (18.05.2005 12:37 194.44.62.151, пустое)
  • Так я так и сделал, объеденил их катодами. Решив что металл не будет припятствием для основных носителей n- областей. — Чукча   (18.05.2005 11:39 216.127.82.99, пустое)
    • И это правильно, тут главное знать как начать, а потом ухлубить и расширить и это правильно(М.С Горбачеу) — nikolayus   (19.05.2005 11:17 195.91.140.101, пустое)
      • Если основные носители попадут под электрическое поле, создаваемое обратно смещенным коллектором — Larry158   (20.05.2005 16:29 80.237.25.173, пустое)