[an error occurred while processing this directive]
|
"Напряжение пробоя транзистора с ОЭ значительно меньше напряжения пробоя коллекторного p-n перехода. Выходные ВАХ кремниевых транзисторов с ОЭ в области пробоя при разомкнутой цепи базы имеют особенность, связанную с наличием участка дифференциального отрицательного сопротивления (ДОС). В таком случае говорят, что транзистор имеет S-образную коллекторную характеристику".
E-mail: info@telesys.ru