Отправлено Закусычь 27 октября 2004 г. 10:52 В ответ на: Вопрос к спецам по импульсной технике (+) отправлено Sheldi 27 октября 2004 г. 09:05

если его превысить то в структуре МОПА открывается паразитный биполярник и гробит приборчик.
3.0 V/ns - типично для высоковольтных так что на 20ns 60В край.
у нзковольтныех мопов получше 5V/ns но все равно по краю ходить...
так что надоть про чтото лавинное думать.

• А если шунтировать UF диодами или диодами Шотки? Тоесть один последовательно, и один паралельно последовательно соединенным диоду и транзистору? — Artem   (27.10.2004 11:11, пустое)
  • Ответ: и как это уменьшит dv/dt на мопе? — Закусычь   (27.10.2004 12:50, пустое)
    • Я так понял, что надо как-бы избавится от паразитного диода? Если нет, (я в теории полупроводников чайник) то может есть что-то вроде транзисторов с изолированым затвором? Ну, на которых аналоговые ключи делают. — Artem   (27.10.2004 13:02, пустое)
      • Ответ: 2 диода помогут только избавится от накопления избыточного заряда неосновных носителей впаразитном диоде — Закусычь   (27.10.2004 13:57, 289 байт)