Отправлено Justas 26 октября 2004 г. 10:57 В ответ на: ИМХО 25 нан, съест индуктивность рассеивания. отправлено Artem 26 октября 2004 г. 03:52

Пока у меня срабатывает при таких значениях: амплитуда достигает 40А при ширине синуса в основании 25нан, естественно при приближении к максимуму время становиться меньше. При этом для устранения срабатывания от совсем случайных помех у меня уже стоит емкость в 22н параллельно резистору, на котором происходит преобразование тока в напряжение (39ом), транс токовый 1:200, получаем что-то около того - 1В=5А, на компаратор опорное 5В. Т.е. защита настроена на 25А, но видимо на 25А при таком коротком импульсе не успевает сработать? Или это какие-то левые выбросы я регистрирую осцилом, типа наводок от коммутации, а на самом деле реально меньше ток в цепи первички течет?

P.S. Вчера просто пожег пару ключей, но видимо не по этой причине... а если уже защита на краю допустимого? не хочеться еще раз сжечь без толку, хотя на прочность надо бы до максимума пробовать.

• А че у тебя за транзистор? Уму ведь тоже надо время выключится. Плюс как ты драйвер сделал. У меня была похожая ситуация, но IGBT Рвал при токе в 100А. Предельный импульсный у него тоже был 100А. Несколько минут такое работало нормально. Немного модуль нагрелся. И все — Artem   (26.10.2004 12:20, 465 байт)
  • SPW17N80C3 - от инфенеона. Диоды защитные не применяю, думаю встроеными обойтись — Justas   (26.10.2004 16:39, пустое)
    • Посмотрел, может и получится. 550нс не так уж и много. — Artem   (27.10.2004 03:49, пустое)
      • Может под утро я уже торможу :-) Но... что за 550нсек? Откуда эта цифра? — Justas   (27.10.2004 04:36, пустое)
        • Время восстановления диода. 4 страница. А на 9, картинка как оно восстанавливается. — Artem   (27.10.2004 05:41, пустое, ссылка)