Отправлено =L.A.= 04 октября 2004 г. 14:28 В ответ на: Они еще как делятся своим новым (+) отправлено SM 04 октября 2004 г. 12:48

но сильно сомневаюсь, что свои последние достижения. Скорей это распродажа уже отработанного материала.
Смысл МОСФЕТа на гигагерцы не понял. На НЧ их применяют для снижения энергопотребления (причем надо КМОП). На гигагерцах по этому показателю они преимущества не дадут ( тем более есть проблемы с p-канальниками). Как они могут поднять быстродействие - тоже непонятно, особых преимуществ по сравнению с биполярниками у них нет, а уж на mixed signal и подавно, так как на МОСФЕТах аналоговые схемы , как я понимаю, сделать сложнее, чем на биполярниках.
Насчет повышения интеграции - путь уменьшения размера компонента, уже себя почти исчерпал, теперь степень интеграции повышают другими методами, например "многослойная микросхема" - несколько слоев с компонентами получаются при помоши эпитаксии.
Хотя вопросом изготовления ИС и я никогда не занимался, возможно есть "мелочи" которые всё в корне меняют.

• Ответ: (+) — SM   (04.10.2004 14:46, 1084 байт)