Отправлено Vjacheslav 02 октября 2004 г. 21:45 В ответ на: Вообще то, быстродействие определяется не скоростью перемещения носителей, а скоростью распространения электромагнитного поля. Если почитаешь учебники по физике, то найдешь, что скорость движения электронов в металле ( например ) не больше нескольких миллиметров в секунду. Ты перепутал МОСФЕТ с электронной лампой, вакуумным прибором. отправлено =L.A.= 02 октября 2004 г. 09:53

Я не буду Вас к ним отсылать, подозреваю что бесполезно. У Вас каша в голове. Вместе с какими-то обрывками истины (насчет ЭМВ - так это передача энергии) еще... Короче "слышал звон да не знает где он". Попробую задать вопрос простой: когда на затвор полевого транзистора подается открывающее напряжение, а исток подключен к емкости, то откуда в ней (емкости) возьмется заряд? Видимо Электромагнитной волной надуло. Такой вот детский парадокс у Вас получается.
Кстати один из способов расчетов процессов в транзисторах называется "Зарядовый подход". А учебники физики я читаю, поскольку занимаюсь ей 12 часов в сутки. Вам не повезло - нарвались как раз на физика.

• Как раз вот это и есть: "бред и элементарная безграмотность". Продолжай читать учебники по 12 часов, возможно скоро дойдешь до нужных параграфов. — =L.A.=   (04.10.2004 09:30, пустое)
• Гы, общался я как-то с одним "физиком-доцентом" на эту тему ;-) — =AK=   (04.10.2004 04:40, 730 байт)
  • Ответ: Со схемотехникой все в порядке - не волнуйтесь. — Vjacheslav   (04.10.2004 08:16, 611 байт)
    • Ответ: — =AK=   (04.10.2004 08:43, 322 байт)
      • Хи-хи, кстати, забыл сказать :-) — =AK=   (06.10.2004 16:59, 725 байт)