Отправлено =mse= 02 октября 2004 г. 10:49 В ответ на: Вообще то, быстродействие определяется не скоростью перемещения носителей, а скоростью распространения электромагнитного поля. Если почитаешь учебники по физике, то найдешь, что скорость движения электронов в металле ( например ) не больше нескольких миллиметров в секунду. Ты перепутал МОСФЕТ с электронной лампой, вакуумным прибором. отправлено =L.A.= 02 октября 2004 г. 09:53

носители не всегда равномерно распределены. ;О) Например, когда на затворе запирающее напряжение, распределение носителей не совсем равномерное. Или в активном режиме, когда канал "вырождается". Да и в самом деле, подвижность носителей влияет на быстродействие. Не зря же есть технология напряжённого кремния, арсенид-галлиевые и фосфид-индиевые приборы. Самое весёлое, что получить N-гиговый полевик GaAs можно на совершенно примитивных проектных нормах. А вот N-гиговый кремниевый - надо потрахаться не по-детски. ;О)

• А это уже другие параметры(+) — =L.A.=   (02.10.2004 18:31, 482 байт)
  • Не, малость не то... — =mse=   (04.10.2004 17:36, 1090 байт)
    • от, мля... — =mse=   (04.10.2004 17:56, 215 байт)
      • Вот!(+) — =L.A.=   (04.10.2004 18:58, 148 байт)
  • Ответ: Извините, но это бред и элементарная безграмотность. — Vjacheslav   (02.10.2004 21:06, пустое)